IRS2110STRPBF vs IRS2112STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2110STRPBF par Infineon et IRS2112STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2110STRPBF IRS2112STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $1,88
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
Nombre de sorties 2 —
Type de sortie Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL
Bootstrap Diode Integrated —
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low Yes (active-low)
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Both channels (VCC and VBS)
Température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC wide-body
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 3 (168 hours) 2 (1 year floor life)
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
High-side Offset Voltage (max) — 600 V
Output Source Current (typ) — 0.29 A
Output Sink Current (typ) — 0.6 A
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply Range (VDD) — 3.3 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Statut RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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