IRS2110STRPBF vs IRS2112STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2110STRPBF por Infineon y IRS2112STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2110STRPBF IRS2112STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,42 $1,88
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
Número de salidas 2 —
Tipo de salida Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL
Bootstrap Diode Integrated —
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low Yes (active-low)
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Both channels (VCC and VBS)
Temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC wide-body
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 3 (168 hours) 2 (1 year floor life)
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
High-side Offset Voltage (max) — 600 V
Output Source Current (typ) — 0.29 A
Output Sink Current (typ) — 0.6 A
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply Range (VDD) — 3.3 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Estado RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

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