IRS2153DSTRPBF vs IR21531STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2153DSTRPBF von Infineon und IR21531STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2153DSTRPBF IR21531STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,70
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Gehäuse 8-pin SOIC 8-pin SOIC (SO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS-Status Compliant Compliant (ROHS3)
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Anzahl der Ausgänge — 2 (high-side, low-side)
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Anstiegszeit — 80 ns
Abfallzeit — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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