IRS2153DSTRPBF vs IR21531STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2153DSTRPBF 제조: Infineon 및 IR21531STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2153DSTRPBF IR21531STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.42 $0.70
토폴로지 Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
패키지 8-pin SOIC 8-pin SOIC (SO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS 상태 Compliant Compliant (ROHS3)
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
출력 수 — 2 (high-side, low-side)
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
상승 시간 — 80 ns
하강 시간 — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
동작 온도 — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

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