IRS2153DSTRPBF vs IR21531STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2153DSTRPBF par Infineon et IR21531STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2153DSTRPBF IR21531STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,70
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Boîtier 8-pin SOIC 8-pin SOIC (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Statut RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Nombre de sorties — 2 (high-side, low-side)
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Temps de montée — 80 ns
Temps de descente — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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