IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2153DSTRPBF von Infineon und IRS2153DPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2153DSTRPBF IRS2153DPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $1,78
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator Self-Oscillating (RC-timed)
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Gehäuse 8-pin SOIC 8-Pin PDIP (through-hole)
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Anzahl der Ausgänge — 2 (High-Side, Low-Side)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40C to +125C
MSL-Level — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial

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