IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2153DSTRPBF por Infineon e IRS2153DPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2153DSTRPBF IRS2153DPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo NRND
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $1,78
Topologia Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator Self-Oscillating (RC-timed)
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Encapsulamento 8-pin SOIC 8-Pin PDIP (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Número de saídas — 2 (High-Side, Low-Side)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
Temperatura de junção de operação — -40C to +125C
Nível MSL — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial

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