IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2153DSTRPBF par Infineon et IRS2153DPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2153DSTRPBF IRS2153DPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $1,78
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator Self-Oscillating (RC-timed)
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Boîtier 8-pin SOIC 8-Pin PDIP (through-hole)
Type de montage Surface Mount —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Nombre de sorties — 2 (High-Side, Low-Side)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
Température de jonction en fonctionnement — -40C to +125C
Niveau MSL — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial

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