IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2153DSTRPBF por Infineon y IRS2153DPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2153DSTRPBF IRS2153DPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $1,78
Topología Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator Self-Oscillating (RC-timed)
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Encapsulado 8-pin SOIC 8-Pin PDIP (through-hole)
Tipo de montaje Surface Mount —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Número de salidas — 2 (High-Side, Low-Side)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
Temperatura de unión de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial

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