IS43TR16256AL-107MBLI vs H5TC4G63AFR-PBA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-107MBLI von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und H5TC4G63AFR-PBA von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IS43TR16256AL-107MBLI | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,00 | $3,98 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| Gehäuse / Bauform | 96-TWBGA (9x13mm) | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Gehäuse | — | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Schnittstelle | — | 16-bit I/O |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |