IS43TR16256AL-107MBLI vs H5TC4G63AFR-PBA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IS43TR16256AL-107MBLI por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IS43TR16256AL-107MBLI H5TC4G63AFR-PBA
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,00 $3,98
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
Taxa de dados 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Access Time 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Encapsulamento / Caixa 96-TWBGA (9x13mm) —
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Status RoHS Compliant —
Memory Interface Parallel —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Encapsulamento — 96-ball FBGA
Ball Pitch — 0.8mm
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C (Tcase)
Interface — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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