IS43TR16256AL-107MBLI vs H5TC4G63AFR-PBA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-107MBLI от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и H5TC4G63AFR-PBA от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IS43TR16256AL-107MBLI | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Бренд | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,00 | $3,98 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| Корпус / Типоразмер | 96-TWBGA (9x13mm) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Корпус | — | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Интерфейс | — | 16-bit I/O |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |