IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IS43TR16256AL-125KBL | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,60 | $2,30 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | — |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Gehäuse | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C | 0°C to 85°C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Datenrate | 1600 Mbps | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| CAS-Latenz | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |