IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e K4A8G165WB-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IS43TR16256AL-125KBL K4A8G165WB-BCPB
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,60 $2,30
Tipo de memória SDRAM - DDR3L —
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Interface Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Encapsulamento 96-TWBGA (9x13mm) 96-ball FBGA (TFBGA-96)
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação 0°C ~ 95°C 0°C to 85°C
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Taxa de dados 1600 Mbps —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Terminals 96 96
Density — 8 Gb
Organização da memória — 512M x 16
Speed Grade — 2133 Mbps (PC4-17000)
Burst Length — 8 (BL8)
Burst Type — Sequential and Interleave
Latência CAS — Programmable (e.g., 15, 16, 18)
Refresh — Auto and Self Refresh
Package Code — TFBGA
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Position — BOTTOM

Fichas técnicas e recursos

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