IS43TR16256AL-125KBL vs K4A8G165WB-BCPB 比較

詳細な並列比較: IS43TR16256AL-125KBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc および K4A8G165WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IS43TR16256AL-125KBL K4A8G165WB-BCPB
ブランド ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.60 $2.30
メモリタイプ SDRAM - DDR3L —
メモリサイズ 4Gbit (256M x 16) —
インターフェース Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
電源電圧 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
パッケージ 96-TWBGA (9x13mm) 96-ball FBGA (TFBGA-96)
実装タイプ Surface Mount —
動作温度 0°C ~ 95°C 0°C to 85°C
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
データレート 1600 Mbps —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Terminals 96 96
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 512M x 16
Speed Grade — 2133 Mbps (PC4-17000)
Burst Length — 8 (BL8)
Burst Type — Sequential and Interleave
CASレイテンシ — Programmable (e.g., 15, 16, 18)
Refresh — Auto and Self Refresh
Package Code — TFBGA
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Position — BOTTOM

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼