IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63AFR-PBI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-125KBLI-TR von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63AFR-PBI
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,25 $6,50
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Datenrate 1600 Mbps DDR3-1600 (PC3L-12800)
CAS-Latenz 11 Programmable
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V —
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C (TC) -40°C to +95°C
Gehäuse 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Burst Length 8 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
RoHS-Status Compliant Compliant
Speicherorganisation — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
Versorgungsspannung — 1.35 V
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Number of Terminals — 96

Datenblätter & Ressourcen

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