IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63AFR-PBI Comparación

Comparación detallada lado a lado de IS43TR16256AL-125KBLI-TR por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63AFR-PBI
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,25 $6,50
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Ancho del bus de datos 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Velocidad de datos 1600 Mbps DDR3-1600 (PC3L-12800)
Latencia CAS 11 Programmable
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V —
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C (TC) -40°C to +95°C
Encapsulado 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Burst Length 8 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Estado RoHS Compliant Compliant
Organización de memoria — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
Tensión de alimentación — 1.35 V
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Number of Terminals — 96

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