IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63AFR-PBI 비교

다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256AL-125KBLI-TR 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ 활성
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

사양 비교

파라미터 IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63AFR-PBI
브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.25 $6.50
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) —
데이터 버스 폭 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
데이터 속도 1600 Mbps DDR3-1600 (PC3L-12800)
CAS 레이턴시 11 Programmable
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V —
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C (TC) -40°C to +95°C
패키지 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Burst Length 8 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
RoHS 상태 Compliant Compliant
메모리 구성 — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
공급 전압 — 1.35 V
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Number of Terminals — 96

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청