IS6605A vs TPS54331DR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS6605A von onsemi und TPS54331DR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IS6605A | TPS54331DR |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | Texas Instruments |
| Kategorie | DC-DC Converters | DC-DC Converters |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,76 | $0,85 |
| Topologie | Synchronous Buck (Step-Down) | Non-synchronous Buck (Step-Down) |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | 1 |
| Eingangsspannungsbereich | 4 V to 16 V | 3.5 V to 28 V |
| Ausgangsspannungsbereich | 0.6 V to 5.5 V (Adjustable) | 0.8 V to 25 V (adjustable) |
| Continuous Output Current | 6 A | — |
| Output Voltage Adjustment | Adjustable | — |
| Schaltfrequenz | [DATA_NEEDED: switching frequency] | 570 kHz (fixed) |
| Internal MOSFETs | Yes (FET-integrated, high-side + low-side) | — |
| Internal Compensation | Yes (no external RC network required) | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40 C to +125 C (TJ) | — |
| Gehäuse / Bauform | 14-WFQFN (QFN-14, 2x3 mm) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Input Decoupling Capacitor (VCC) | >= 1 uF ceramic X5R/X7R (relative to AGND) | — |
| Protection Features | Over-Current Protection (OCP), Over-Temperature Protection (OTP), Under-Voltage Lockout (UVLO) | Overcurrent (cycle-by-cycle), thermal shutdown |
| Power Good (PGOOD) Indicator | Yes | — |
| Sanftanlauf | Yes (internal) | Adjustable via SS/TR pin |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Maximaler Ausgangsstrom | — | 3 A |
| Control Method | — | Current mode with internal slope compensation |
| Light Load Feature | — | Eco-mode pulse skipping |
| Shutdown Supply Current | — | 1 uA |
| High-Side MOSFET | — | Integrated, low RDS(on) |
| Betriebstemperatur | — | -40C to +125C (ambient); -40C to +150C (TJ) |
| Gehäuse | — | 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width), D |