IS6605A vs TPS54331DR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IS6605A от onsemi и TPS54331DR от Texas Instruments. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Texas Instruments
TPS54331DR - 3A 28V Buck Converter 570kHz | Texas Instruments
TPS54331DR ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IS6605A | TPS54331DR |
|---|---|---|
| Бренд | onsemi | Texas Instruments |
| Категория | DC-DC Converters | DC-DC Converters |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,76 | $0,85 |
| Топология | Synchronous Buck (Step-Down) | Non-synchronous Buck (Step-Down) |
| Количество выходов | 1 | 1 |
| Диапазон входного напряжения | 4 V to 16 V | 3.5 V to 28 V |
| Диапазон выходного напряжения | 0.6 V to 5.5 V (Adjustable) | 0.8 V to 25 V (adjustable) |
| Continuous Output Current | 6 A | — |
| Output Voltage Adjustment | Adjustable | — |
| Частота переключения | [DATA_NEEDED: switching frequency] | 570 kHz (fixed) |
| Internal MOSFETs | Yes (FET-integrated, high-side + low-side) | — |
| Internal Compensation | Yes (no external RC network required) | — |
| Диапазон рабочих температур | -40 C to +125 C (TJ) | — |
| Корпус / Типоразмер | 14-WFQFN (QFN-14, 2x3 mm) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Input Decoupling Capacitor (VCC) | >= 1 uF ceramic X5R/X7R (relative to AGND) | — |
| Protection Features | Over-Current Protection (OCP), Over-Temperature Protection (OTP), Under-Voltage Lockout (UVLO) | Overcurrent (cycle-by-cycle), thermal shutdown |
| Power Good (PGOOD) Indicator | Yes | — |
| Плавный пуск | Yes (internal) | Adjustable via SS/TR pin |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Максимальный выходной ток | — | 3 A |
| Control Method | — | Current mode with internal slope compensation |
| Light Load Feature | — | Eco-mode pulse skipping |
| Shutdown Supply Current | — | 1 uA |
| High-Side MOSFET | — | Integrated, low RDS(on) |
| Рабочая температура | — | -40C to +125C (ambient); -40C to +150C (TJ) |
| Корпус | — | 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width), D |