IS6605A vs TPS54331DR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IS6605A par onsemi et TPS54331DR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IS6605A | TPS54331DR |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | Texas Instruments |
| Catégorie | DC-DC Converters | DC-DC Converters |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,76 | $0,85 |
| Topologie | Synchronous Buck (Step-Down) | Non-synchronous Buck (Step-Down) |
| Nombre de sorties | 1 | 1 |
| Plage de tension d'entrée | 4 V to 16 V | 3.5 V to 28 V |
| Plage de tension de sortie | 0.6 V to 5.5 V (Adjustable) | 0.8 V to 25 V (adjustable) |
| Continuous Output Current | 6 A | — |
| Output Voltage Adjustment | Adjustable | — |
| Fréquence de commutation | [DATA_NEEDED: switching frequency] | 570 kHz (fixed) |
| Internal MOSFETs | Yes (FET-integrated, high-side + low-side) | — |
| Internal Compensation | Yes (no external RC network required) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 C to +125 C (TJ) | — |
| Boîtier / Format | 14-WFQFN (QFN-14, 2x3 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Input Decoupling Capacitor (VCC) | >= 1 uF ceramic X5R/X7R (relative to AGND) | — |
| Protection Features | Over-Current Protection (OCP), Over-Temperature Protection (OTP), Under-Voltage Lockout (UVLO) | Overcurrent (cycle-by-cycle), thermal shutdown |
| Power Good (PGOOD) Indicator | Yes | — |
| Démarrage progressif | Yes (internal) | Adjustable via SS/TR pin |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Courant de sortie maximal | — | 3 A |
| Control Method | — | Current mode with internal slope compensation |
| Light Load Feature | — | Eco-mode pulse skipping |
| Shutdown Supply Current | — | 1 uA |
| High-Side MOSFET | — | Integrated, low RDS(on) |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +125C (ambient); -40C to +150C (TJ) |
| Boîtier | — | 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width), D |