ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC008N06LM6ATMA1 von Infineon und ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC008N06LM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) —
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Montagestil Surface Mount, Tape & Reel —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Halogenfrei Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse — PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Montageart — Surface Mount
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern