ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC011N06LM5ATMA1 von Infineon und IAUZ40N06S5N050ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC011N06LM5ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Trench)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Gehäuse PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 8
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +175C
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Continuous Drain Current (ID, TC) — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on), typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
Maximum Power Dissipation (PD) — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Thermal Resistance (RthJC, max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Packaging — Tape & Reel

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