ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon et IAUZ40N06S5N050ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N06LM5ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Trench)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Boîtier PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 8
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Continuous Drain Current (ID, TC) — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on), typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
Maximum Power Dissipation (PD) — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Thermal Resistance (RthJC, max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Packaging — Tape & Reel

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