ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon und IAUA210N10S5N024AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC015N06NM5ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Gehäuse PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

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