ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon e IAUA210N10S5N024AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC015N06NM5ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
Status RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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