ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon et IAUA210N10S5N024AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC015N06NM5ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Boîtier PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
Statut RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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