ISC028N03LF2SATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon und IPT015N10NF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC028N03LF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $3,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS trench, N-channel enhancement
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Einzelpuls-Avalanche-Energie — [DATA_NEEDED: EAS value]
RoHS-Status — Compliant

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