ISC028N03LF2SATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon e IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC028N03LF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $3,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS trench, N-channel enhancement
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Energia de avalanche de pulso único — [DATA_NEEDED: EAS value]
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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