ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC008N06LM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon und ISC008N06LM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC028N03LF2SATMA1 ISC008N06LM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad —
Montageart Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 44 A
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc — 378 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 221 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical)
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (Tj)
Package Type — PG-TDSON-8 (Surface Mount)
Montagestil — Surface Mount, Tape & Reel
RoHS / Lead-Free Status — RoHS Compliant, Lead-Free
Halogenfrei — Yes

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