ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC008N06LM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC008N06LM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC028N03LF2SATMA1 ISC008N06LM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad —
Type de montage Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 44 A
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc — 378 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 221 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical)
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (Tj)
Package Type — PG-TDSON-8 (Surface Mount)
Style de montage — Surface Mount, Tape & Reel
RoHS / Lead-Free Status — RoHS Compliant, Lead-Free
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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