ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC008N06LM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC008N06LM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC028N03LF2SATMA1 ISC008N06LM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad —
Tipo de montagem Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 44 A
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc — 378 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 221 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (Tj)
Package Type — PG-TDSON-8 (Surface Mount)
Estilo de montagem — Surface Mount, Tape & Reel
RoHS / Lead-Free Status — RoHS Compliant, Lead-Free
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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