ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC008N06LM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon y ISC008N06LM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC028N03LF2SATMA1 ISC008N06LM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad —
Tipo de montaje Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 44 A
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc — 378 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 221 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (Tj)
Package Type — PG-TDSON-8 (Surface Mount)
Estilo de montaje — Surface Mount, Tape & Reel
RoHS / Lead-Free Status — RoHS Compliant, Lead-Free
Sin halógenos — Yes

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