ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC030N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC045N03L5SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC030N12NM6ATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,51
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 6 (trench) OptiMOS 5 / Trench
Drain-Source Voltage (VDS max) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 194 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 3.4 mOhm @ VGS=10 V —
On-Resistance RDS(on) typical 3.0 mOhm @ VGS=10 V —
Verlustleistung (TC=25°C) 250 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Gehäuse PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 C to +175 C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full RDS(on)) —
Configuration Single N-channel, source-down —
Packaging (suffix) Tape & Reel (ATMA1) —
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C
RoHS-Status — Compliant

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