ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC030N12NM6ATMA1 por Infineon e ISC045N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC030N12NM6ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,62 | $0,51 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | OptiMOS 5 / Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 194 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 3.4 mOhm @ VGS=10 V | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.0 mOhm @ VGS=10 V | — |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | 250 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Encapsulamento | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full RDS(on)) | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| Packaging (suffix) | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 °C to +150 °C |
| Status RoHS | — | Compliant |