ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC110N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC0805NLSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC110N12NM6ATMA1 ISC0805NLSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,82
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.8 mΩ 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.1 V —
Total Gate Charge (Qg) 15.4 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1.1 nF —
Output Capacitance (Coss) 330 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Power Dissipation (Pd) at Tc 94 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta 3 W —
Avalanche Energy (EAS) 185 mJ —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 5
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 74 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C

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