ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC110N12NM6ATMA1 par Infineon et ISC0805NLSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC110N12NM6ATMA1 | ISC0805NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,51 | $0,82 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.8 mΩ | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.1 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15.4 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.1 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 330 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 94 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 3 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 185 mJ | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 74 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.3 V |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | — | 16 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.2 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 23 pF |
| Output Capacitance Coss | — | 360 pF |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |