ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von ISZ025N06NM6ATMA1 von Infineon und ISZ072N06NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | ISZ025N06NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,02 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 137 A | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 22 A | 12.7 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gehäuse | PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | 1 |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| Verlustleistung (TC=25°C) | — | 50 W |