ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISZ025N06NM6ATMA1 제조: Infineon 및 ISZ072N06NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISZ025N06NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.02 | $0.38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 137 A | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 22 A | 12.7 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | 1 |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| 전력 손실 (TC=25°C) | — | 50 W |