ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISZ025N06NM6ATMA1 por Infineon y ISZ072N06NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | ISZ025N06NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,02 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 137 A | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 22 A | 12.7 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | 1 |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | — | 50 W |