ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC800P06LMATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ056N03LF2SATMA1 von Infineon und ISC800P06LMATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ056N03LF2SATMA1 ISC800P06LMATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Gehäuse PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 19.6 A
Power Dissipation (PD) at TC — 83 W
Technology — OptiMOS trench MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Pin-Anzahl — 8
Lead-Free — Yes (per Infineon product page)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern