ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC800P06LMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ056N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC800P06LMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ056N03LF2SATMA1 ISC800P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Encapsulamento PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 19.6 A
Power Dissipation (PD) at TC — 83 W
Technology — OptiMOS trench MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Contagem de pinos — 8
Lead-Free — Yes (per Infineon product page)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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