ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC800P06LMATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ056N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC800P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ056N03LF2SATMA1 ISC800P06LMATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Boîtier PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 19.6 A
Power Dissipation (PD) at TC — 83 W
Technology — OptiMOS trench MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Nombre de broches — 8
Lead-Free — Yes (per Infineon product page)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet)

Fiches techniques et ressources

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