JMTG070N06A vs DMN3190LDW-7 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von JMTG070N06A von Jiejie Micro und DMN3190LDW-7 von Diodes Incorporated. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter JMTG070N06A DMN3190LDW-7
Marke Jiejie Micro Diodes Incorporated
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,45 $0,10
Manufacturer Jiejie Micro (JJW) —
Part Number JMTG070N06A —
Polarity / Type N-channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 70 A 1 A
On-Resistance RDS(ON) < 6 mOhm @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology Advanced Trench MOSFET Silicon N-Channel MOSFET
Gehäuse PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
Montageart Surface Mount (SMD) Surface Mount
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) —
Lead Status Lead free / RoHS compliant —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] —
Thermal Resistance RthJA [DATA_NEEDED: theta_JA] —
Configuration Single N-channel MOSFET Dual, independent drains
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Power Dissipation (PD) — 320 mW
Betriebstemperatur — -55C to +150C
Channel Mode — Enhancement
MSL-Level — 1 (unlimited)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

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