JMTG070N06A vs DMN3190LDW-7 비교

다음의 상세 나란히 비교: JMTG070N06A 제조: Jiejie Micro 및 DMN3190LDW-7 제조: Diodes Incorporated. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Jiejie Micro
JMTG070N06A JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A ✓ 활성
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 JMTG070N06A DMN3190LDW-7
브랜드 Jiejie Micro Diodes Incorporated
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.45 $0.10
Manufacturer Jiejie Micro (JJW) —
Part Number JMTG070N06A —
Polarity / Type N-channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 70 A 1 A
On-Resistance RDS(ON) < 6 mOhm @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology Advanced Trench MOSFET Silicon N-Channel MOSFET
패키지 PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
실장 유형 Surface Mount (SMD) Surface Mount
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) —
Lead Status Lead free / RoHS compliant —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] —
Thermal Resistance RthJA [DATA_NEEDED: theta_JA] —
Configuration Single N-channel MOSFET Dual, independent drains
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Power Dissipation (PD) — 320 mW
동작 온도 — -55C to +150C
Channel Mode — Enhancement
MSL 레벨 — 1 (unlimited)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

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