JMTG070N06A vs DMN3190LDW-7 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de JMTG070N06A par Jiejie Micro et DMN3190LDW-7 par Diodes Incorporated. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre JMTG070N06A DMN3190LDW-7
Marque Jiejie Micro Diodes Incorporated
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,10
Manufacturer Jiejie Micro (JJW) —
Part Number JMTG070N06A —
Polarity / Type N-channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 70 A 1 A
On-Resistance RDS(ON) < 6 mOhm @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology Advanced Trench MOSFET Silicon N-Channel MOSFET
Boîtier PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
Type de montage Surface Mount (SMD) Surface Mount
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) —
Lead Status Lead free / RoHS compliant —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] —
Thermal Resistance RthJA [DATA_NEEDED: theta_JA] —
Configuration Single N-channel MOSFET Dual, independent drains
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Power Dissipation (PD) — 320 mW
Température de fonctionnement — -55C to +150C
Channel Mode — Enhancement
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

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