JMTG070N06A vs DMN3190LDW-7 比較

詳細な並列比較: JMTG070N06A メーカー: Jiejie Micro および DMN3190LDW-7 メーカー: Diodes Incorporated。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Jiejie Micro
JMTG070N06A JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A ✓ 生産中
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ JMTG070N06A DMN3190LDW-7
ブランド Jiejie Micro Diodes Incorporated
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.45 $0.10
Manufacturer Jiejie Micro (JJW) —
Part Number JMTG070N06A —
Polarity / Type N-channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 70 A 1 A
On-Resistance RDS(ON) < 6 mOhm @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology Advanced Trench MOSFET Silicon N-Channel MOSFET
パッケージ PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
実装タイプ Surface Mount (SMD) Surface Mount
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) —
Lead Status Lead free / RoHS compliant —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] —
Thermal Resistance RthJA [DATA_NEEDED: theta_JA] —
Configuration Single N-channel MOSFET Dual, independent drains
FET Type — Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Power Dissipation (PD) — 320 mW
動作温度 — -55C to +150C
Channel Mode — Enhancement
MSLレベル — 1 (unlimited)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

データシート&リソース

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