K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G085WD-BCRC von Samsung Electronics und K4A4G085WG-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,58 | $2,68 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 8 | — |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Datenrate | 2400 Mb/s (PC2400) | 3200 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Gehäuse | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 (BCW) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Betriebstemperaturbereich | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Speichergröße | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | Tray |