K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G085WG-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,58 | $2,68 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | — |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Velocidad de datos | 2400 Mb/s (PC2400) | 3200 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 (BCW) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | Tray |