K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WD-BCRC от Samsung Electronics и K4A4G085WG-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WG-BCWE
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,58 $2,68
Memory Density 4 Gbit —
Организация памяти 512M x 8 —
Тип памяти DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM (Volatile)
Скорость передачи данных 2400 Mb/s (PC2400) 3200 Mbps/pin
Напряжение питания 1.2 V —
Корпус FBGA-78 (TFBGA) FBGA-78 (BCW)
Number of Terminals 78 —
Интерфейс Parallel Parallel (DDR4)
Access Mode Multi-bank page burst —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Размер памяти — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
Speed Class — DDR4-3200
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — D-die DDR4
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tray

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену